Mos管是金属(Metal)—氧化物(Oxide)—半导体(SemiConductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(Insulator)—半导体。MOS管的Source和Drain是可以对调的，他们都是在P型Backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。   

额定功率：100W

针脚数: 3

漏源极电阻: 12 Ω

极性：N-Channel

耗散功率：100 W

阈值电压：4V

漏源极电压(Vds)：1500V

连续漏极电流(ds)：2.50 A

上升时间：70 ns

输入电容(Ciss)：990pF @10V(Vds)

下降时间：60 ns

工作温度：-55 °C-150°C

封装：TO-3-3